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Effet électro-optique géant dans les puits quantiques couplés Ge/SiGe

La photonique à base de silicium est actuellement considérée comme la plate-forme photonique de nouvelle génération pour les communications embarquées.Cependant, le développement de modulateurs optiques compacts et de faible consommation reste un défi.Nous rapportons ici un effet électro-optique géant dans les puits quantiques couplés Ge/SiGe.Cet effet prometteur est basé sur l’effet quantique anormal Stark dû au confinement séparé des électrons et des trous dans des puits quantiques couplés Ge/SiGe.Ce phénomène peut être utilisé pour améliorer considérablement les performances des modulateurs de lumière par rapport aux approches standards développées jusqu’à présent en photonique sur silicium.Nous avons mesuré des modifications de l'indice de réfraction jusqu'à 2,3 × 10-3 à une tension de polarisation de 1,5 V avec une efficacité de modulation correspondante VπLπ de 0,046 Vcm.Cette démonstration ouvre la voie au développement de modulateurs de phase efficaces à grande vitesse basés sur des systèmes de matériaux Ge/SiGe.
       


Heure de publication : 06 juin 2023