Comme nous le savons tous, l’évaporation sous vide et la pulvérisation ionique sont couramment utilisées dans le revêtement sous vide.Quelle est la différence entre le revêtement par évaporation et le revêtement par pulvérisation cathodique ?Ensuite, les experts techniques de RSM partageront avec nous.
Le revêtement par évaporation sous vide consiste à chauffer le matériau à évaporer à une certaine température au moyen d'un chauffage par résistance ou d'un faisceau d'électrons et d'un bombardement laser dans un environnement avec un degré de vide d'au moins 10-2 Pa, de sorte que l'énergie de vibration thermique des molécules ou Les atomes du matériau dépassent l'énergie de liaison de la surface, de sorte qu'un grand nombre de molécules ou d'atomes s'évaporent ou se subliment et précipitent directement sur le substrat pour former un film.Le revêtement par pulvérisation ionique utilise le mouvement à grande vitesse des ions positifs générés par une décharge gazeuse sous l'action d'un champ électrique pour bombarder la cible en tant que cathode, de sorte que les atomes ou les molécules de la cible s'échappent et précipitent à la surface de la pièce plaquée pour se former. le film requis.
La méthode la plus couramment utilisée de revêtement par évaporation sous vide est le chauffage par résistance, qui présente les avantages d'une structure simple, d'un faible coût et d'un fonctionnement pratique ;L'inconvénient est qu'il ne convient pas aux métaux réfractaires et aux matériaux diélectriques résistants aux hautes températures.Le chauffage par faisceau électronique et le chauffage par laser peuvent surmonter les inconvénients du chauffage par résistance.Dans le chauffage par faisceau d'électrons, le faisceau d'électrons focalisé est utilisé pour chauffer directement le matériau bombardé, et l'énergie cinétique du faisceau d'électrons devient de l'énergie thermique, ce qui fait évaporer le matériau.Le chauffage laser utilise un laser haute puissance comme source de chauffage, mais en raison du coût élevé du laser haute puissance, il ne peut actuellement être utilisé que dans quelques laboratoires de recherche.
La technologie de pulvérisation cathodique est différente de la technologie d’évaporation sous vide.La « pulvérisation » fait référence au phénomène par lequel des particules chargées bombardent la surface solide (cible) et font jaillir des atomes ou des molécules solides de la surface.La plupart des particules émises sont à l’état atomique, souvent appelé atomes pulvérisés.Les particules pulvérisées utilisées pour bombarder la cible peuvent être des électrons, des ions ou des particules neutres.Étant donné que les ions sont faciles à accélérer sous le champ électrique pour obtenir l’énergie cinétique requise, la plupart d’entre eux utilisent des ions comme particules bombardées.Le processus de pulvérisation est basé sur une décharge luminescente, c'est-à-dire que les ions de pulvérisation proviennent d'une décharge gazeuse.Différentes technologies de pulvérisation adoptent différents modes de décharge luminescente.La pulvérisation par diode CC utilise une décharge luminescente CC ;La pulvérisation triode est une décharge luminescente supportée par une cathode chaude ;La pulvérisation RF utilise une décharge luminescente RF ;La pulvérisation magnétron est une décharge luminescente contrôlée par un champ magnétique annulaire.
Par rapport au revêtement par évaporation sous vide, le revêtement par pulvérisation cathodique présente de nombreux avantages.Par exemple, n'importe quelle substance peut être pulvérisée, en particulier les éléments et composés à point de fusion élevé et à faible pression de vapeur ;L'adhérence entre le film pulvérisé et le substrat est bonne ;Haute densité de film ;L'épaisseur du film peut être contrôlée et la répétabilité est bonne.L’inconvénient est que l’équipement est complexe et nécessite des appareils haute tension.
De plus, la combinaison de la méthode d’évaporation et de la méthode de pulvérisation constitue le placage ionique.Les avantages de cette méthode sont que le film obtenu présente une forte adhérence avec le substrat, une vitesse de dépôt élevée et une densité de film élevée.
Heure de publication : 20 juillet 2022